Samsung je počeo je s masovnom proizvodnjom prvog ugrađenog, univerzalnog Flash Storage (eUFS) rješenja koji bi mogao zamijeniti SD kartice u budućnosti.
Pročitajte i ovo
Novi Samsungov eUFS od 512 GB pruža najbolje ugradbeno rješenje za pohranu na premium pametnim telefonima nove generacije, čime svladava potencijalna ograničenja u performansama sustava koja se mogu pojaviti prilikom korištenja micro SD kartica, rekao je Jaesoo Han, izvršni potpredsjednik Odjela za prodaju memorije i marketinga u tvrtki Samsung Electronics te dodao: Osiguravši na vrijeme stabilnu opskrbu ovom naprednom ugrađenom pohranom, Samsung radi veliki iskorak i doprinosi predstavljanju mobilnih uređaja nove generacije raznih proizvođača u svijetu na vrijeme.
Samsungov novi 512 GB eUFS, koji se sastoji od osam 64-slojnih 512 GB V-NAND čipova i kontrolnog čipa, udvostručuje gustoću Samsungova prethodnog 48-slojnog 256 GB eUFS-a koji se temelji na V-NAND-u, u jednakom prostoru kao i paket od 256 GB.
Kako bi se povećale performanse i energetska učinkovitost novog 512 GB eUFS-a, Samsung je predstavio novi skup vlastitih tehnologija. Napredni 64-slojni strujni kolkrug od 512 GB V-NAND i nova tehnologija upravljanja energijom u kontroleru od 512 Gb eUFS smanjuju neizbježan porast potrošnje energije, što je posebno važno jer novo 512 GB eUFS rješenje sadrži dvostruko više stanica u usporedbi s 256 GB eUFS. Osim toga, kontrolni čip 512 GB eUFS-a ubrzava proces mapiranja prilikom pretvaranja logičkih blok-adresa na adrese fizičkih blokova.
Samsungov 512 GB eUFS također ima snažne performanse za čitanje i pisanje. Sa svojim sekvencijalnim čitanjem i zapisima koji dosežu 860 megabajta u sekundi (MB/s) i 255MB/s, ugrađena memorija od 512GB omogućuje prijenos video zapisa od 5GB koji je ekvivalent Full HD na SSD za otprilike šest sekundi, više od osam puta brže nego tipična micro SD kartica.
U slučaju uobičajenih operacija novi eUFS može čitati 42.000 IOPS i napisati 40.000 IOPS. Na temelju eUFS-ovih brzih slučajnih zapisa, koji su otprilike 400 puta brži od 100 IOPS brzine konvencionalne micro SD kartice, mobilni korisnici mogu uživati u savršenim multimedijalnim iskustvima kao što su kontinuirano fotografiranje u visokoj rezoluciji, ali i traženje datoteka i preuzimanje videozapisa u dual-app načinu gledanja.
Samsung namjerava povećati agresivni obujam proizvodnje svojih 64-slojnih 512 Gb V-NAND čipova, uz proširenje svoje 256 Gb V-NAND proizvodnje. To bi trebalo zadovoljiti povećanu potražnju za naprednom ugradbenom mobilnom pohranom, kao i za vrhunskim SSD-ovima i prijenosnim memorijskim karticama visoke gustoće i performansi.
-
Rat na Bliskom istokuVIDEO Potvrđeno da je pogođeno nuklearno postrojenje u Iranu. Oglasila se Rusija: "Bio je to paravan..."
-
živa legenda i kralj zabaveSupruga Zlatka Pejakovića pojavila se na njegovoj velikoj obljetnici, poznaju se od njezine 14. godine
-
GLASINA NIJE TOČNASlavni nogometaš Irana nije tražio da ga klub pusti kako bi mogao u rat
